1、规格参数
TJ=25°C，VBUS=5V，VBAT=10.8V，除非另有说明。
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
| 电源电压 | ||||||||
| VUVLO_VBUS | VBUS欠压锁定 | 上升 | 2.5 | 2.7 | V | |||
| 延迟 | 170 | mV | ||||||
| VUVLO_VBAT | VBAT欠压锁定阈值 | 上升 | 2.4 | 2.6 | V | |||
| 延迟 | 170 | mV | ||||||
| IQ_VBAT | 静止电流进入VBAT | VBUS = 5V
PSTOP = L, 非交换的 |
2.4 | 4 | mA | |||
| VBUS = 5V
PSTOP = L, 充电终止后 |
2.4 | 4 | mA | |||||
| IQ_VBUS | 静止电流进入VBUS | PSTOP = L, 非交换的 | 40 | μA | ||||
| ISB_VBAT | 待机电流进入VBAT | VBUS打开 PSTOP = H, AD_START = 0 | 40 | μA | ||||
| VBUS open PSTOP = H,
AD_START = 1 |
0.65 | 1.2 | mA | |||||
| ISB_VBUS | 待机电流进入VBUS | PSTOP = H, AD_START =0 | 40 | μA | ||||
| ISD_VBAT | 关闭电流到VBAT | /CE = H, VBUS = open | 35 | μA | ||||
| VDRV、拨和电源开关 | ||||||||
| VDRV | 关闭电流到VBAT | PSTOP = L, VBUS = 9V | 5.75 | 6 | 6.25 | V | ||
| PSTOP = L, VBUS = 5V | 4.95 | 4.98 | 5 | V | ||||
| PSTOP = H | 2 | V | ||||||
| IVDRV_LIM | VDRV电流限制 | PSTOP = L
VBUS = 5V, VCC = 4V |
45 | mA | ||||
| PSTOP = H | 1 | mA | ||||||
| RHS/LS_PU | 高/低侧MOS驱动程序上拉电阻箱 | 4 | Ω | |||||
| RHS/LS_PD | 高/低侧MOS驱动程序下拉电阻器 | 1 | Ω | |||||
| VLDO，单片机的电源 | ||||||||
| VLDO | VLDO调节电压 | 3.3 | V | |||||
| 3.0 | V | |||||||
| 5.0 | V | |||||||
| ILDO | VLDO电流限制 | VBUS=5V, VLDO=3.3V | 10 | mA | ||||
| 充电模式下的参考电压 | ||||||||
| VBATS_int | 内部设置的VBATS精度，超过VBATS目标 | VCELL_SET=000~111 | -0.5 | 0.5 | % | |||
| VTRICKLE_int | 内部设置的涓流充电阈值电压 | Cell number = N
VCELL_SET = 000~1111, TRICKLE_SET = 0 |
2.73* N | 2.94* N | 3.15* N | V | ||
| Cell number = N
VCELL_SET = 000~1111, TRICKLE_SET = 1 |
2.31* N | 2.52* N | 2.73* N |
V |
||||
| VEOC | EOC电压阈值，超过VBAT目标 | 97% | 98% | 99% | ||||
| VRECH | 重新充电阈值电压，超过VBAT目标 | 94.8% | 95.8% | 96.8% | ||||
| VINREG | VINREG参考电压 | 4.5V target VINREG_SET = 0x2C,VINREG_RATIO = 0 | 4.3 | 4.5 | 4.7 | V | ||
| 15V target VINREG_SET = 0x95,
VINREG_RATIO = 0 |
14.7 |
15 |
15.3 |
V |
||||
| 4.48V target
VINREG_SET=0x6F, VINREG_RATIO = 1 |
4.4 |
4.5 |
4.6 |
V |
||||
| 10V target VINREG_SET = 0xF9,VINREG_RATIO = 1 | 9.8 | 10 | 10.2 | V | ||||
| VBAT_OVP | VBAT OVP阈值，超过VBAT目标 | VBAT_SEL = 0/1 | 107% | 110% | 112% | |||
| VCLAMP | 125 | mV | ||||||
| 充电模式下的参考电压 | ||||||||
| VFB | 外部设置时的FB参考电压 | FB_SEL = 1,
VBUSREF_E_REF target from 0.5V to 2.048V |
-2% | 2% | ||||
| VBUS | 内部设置的VBUS参考电压精度 | FB_SEL = 0
VBUS_RATIO = 1 (5x) VBUS = 3.6 ~10.24V |
-2% | 2% | ||||
| FB_SEL = 0
VBUS_RATIO = 0 (12.5x) VBUS = 9 ~ 24V |
-2% | 2% | ||||||
| VBUS_OVP | VBUS OVP阈值，上升边缘 | VBUSREF_I_SET = 1V
VBUSREF_E_SET = 1V |
107.3% | 110% | 113% | |||
| 滞后作用 | VBUSREF_I_SET = 1V VBUSREF_E_SET = 1V | 3% | ||||||
| CURRENT LIMIT | ||||||||
| IBUS_LIM | IBUS电流限制精度 | 充电方式, 6A target
IBUS_RATIO=01(6x) IBUS_LIM = 0x7F |
-10% |
10% |
||||
| 充电方式, 3A target IBUS_RATIO = 10 (3x)
IBUS_LIM = 0x7F |
-10% | 10% | ||||||
| 放电方式, 6A target
IBUS_RATIO = 01 (6x) IBUS_LIM = 0x7F |
-10% | 10% | ||||||
| 放电方式, 3A target
IBUS_RATIO = 10 (3x) IBUS_LIM = 0x7F |
-10% | 10% | ||||||
| IBAT_LIM | IBAT电流限制精度 | 充电方式, 6A target IBAT_RATIO = 0 (6x)
IBAT_LIM = 0xFF |
-10% | 10% | ||||
| 充电方式, 12A target
IBAT_RATIO = 1 (12x) IBAT_LIM = 0xFF |
-10% | 10% | ||||||
2、产品特性
- 1到6节电池的增强电池充电器
- 充电管理，包括涓流充电、CC充电、CV充电和充电终止
- 加增压反向放电模式
- 宽VBAT范围： 2.7 V到36 V，40V可持续使用
- 宽VBUS范围： 2.7 V到36 V，40V可持续使用
- I2C可编程充电电流和电压
- I2C可编程排放输出电压
- I2C可编程输入/输出电流限值
- I2C可编程开关频率
- 高效的提升转换
- DP/DM握手器，用于QC 2.0/3.0充电
- 10位ADC资源
- 充电状态指示
- 事件检测，包括自动适配器插入和自动负载插入检测
- 电源路径控制
- 过电压保护、过电压保护、过电流保护、短路保护和热停机保护
- 采用QFN-32封装
3、典型应用电路图
4、管脚图及功能说明
| 引脚名 | 引脚号 | I/O | 功能说明 |
| SNS1P | 1 | I | 电流感测放大器的正极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型的10mΩ）的一个垫板，以感应电流进入或流出VBUS。 |
| GPO | 2 | O | 通用用途的开放式排水沟输出。它是由GPO_CTRL控制的比特用户可以使用此引脚驱动外部PMOS与一个拉出电阻器。 |
| INDET1 | 3 | I | 将此引脚连接到USB-A端口，以检测负载插入事件。当检测到插入事件时，IC设置INDET1位和输出一个INT中断脉冲，以通知单片机。 |
| PGATE/DITHER | 4 | IO | PMOS门驱动器由PGATE位控制，用于控制电源路径上的外部PMOS。该引脚可以通过I2C进行配置，用于切换频率抖动功能。频率抖动时，将陶瓷电容器（典型100nF)连接接地功能 |
| INDET2 | 5 | I | 将此引脚连接到USB-A端口，以检测负载插入事件。当检测到插入事件时，IC设置INDET2位并输出一个INT中断脉冲以通知单片机。 |
| ACIN | 6 | I | 将此引脚连接到AC适配器输入节点或微uSB端口，以检测AC适配器插入事件。当检测到插入事件时，IC设置AC_OK位并输出一个INT中断脉冲以通知单片机。 |
| /CE | 7 | I | 芯片启用控制。将此引脚拉至逻辑低，以启用集成电路；将此引脚拉至逻辑高，以禁用集成电路。这个销是内部拉低。 |
| PSTOP | 8 | I | 电源停止控制。将此引脚拉至逻辑低，使电源块启用；将此引脚拉至逻辑高，以禁用电源块，集成电路进入待机模式。在待机模式下，只有交流适配器和负载插入检测功能，I2C电路继续工作。这个销是内部拉低。 |
| SCL | 9 | I | I2C接口时钟。通过上拉装置将SCL连接到逻辑导轨电阻器（典型的10 kΩ)。IC作为从端工作，I2C地址为0x74H。 |
| SDA | 10 | I/O | I2C接口数据。通过上拉装置将SDA连接到逻辑导轨电阻器（典型的10 kΩ)。 |
| INT | 11 | O | 一个用于中断信号的开路漏极输出。IC在INT引脚处发送一个逻辑低脉冲，如果发生中断事件，则通知主机。 |
| AGND | 12 | I/O | 模拟地面。在热垫处连接PGND和AGND在IC。 |
| DP | 13 | IO | USB接口的正数据线。可通过单片机控制，实现QC2.0/3.0握手，实现快速装料。 |
| DM | 14-18 | IO | USB接口的负数据线。可通过单片机控制，实现QC2.0/3.0握手，实现快速装料。 |
| FB | 19-22 | I | 针对VBUS电压的反馈节点。连接电阻分配器VBUS至FB，在外部方式设置VBUS放电输出电压。FB参考文件也可以通过I2C进行编程。 |
| COMP | 23-24 | I | 在此引脚处连接电阻器和电容器，以补偿控制回路。 |
| SNS2N | 25 | I | 电流感测放大器的负极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型10 mΩ)的一个垫，以感应进电池或出电池的电流。 |
| SNS2P | 26 | I | 电流感测放大器的正极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型的10mΩ)的另一个衬垫上，以检测进入电池或进出电池的电流。 |
| VBAT | 27 | I | 提供给集成电路的电源。连接到蓄电池正极节点。将一个1μF电容器从这个引脚放置到PGND上，尽可能靠近IC。 |
| BT2 | 28 | I | 将BT2引脚和SW2引脚之间的一个100nF电容器连接到引导程序一个针对高侧MOSFET驱动器的偏置电压。 |
| HD2 | 29 | O | 门驱动器输出，以控制外部高侧功率MOSFET。 |
| SW2 | 30 | I/O | 切换节点。连接到电感器。 |
| LD2 | 31 | O | 门驱动器输出，以控制外部低侧功率MOSFET。 |
| VLDO | 32 | O | 一个内部的3.3V线性调节器的输出。连接一个1 μF的电容器从VLDO pin到AGND。 |
| VDRV | 33 | I | 内部驱动器电路的电源输入。 |
5、功能特色
（1）充电方式
（2）招式充电
（3）CC充电（恒流充电）
（4）CV充电（恒定电压充电）
（5）EOC（充电结束）
（6）充电设备
（7）自适应充电电流（VINREG）
（8）电池阻抗补偿
（9）放电方式
（10）软启动
（11）睡眠率设置
（12）PFM操作
（13）电压和电流监测器的ADC
（14）电源路径管理
